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NGTB40N65IHRTG	文件：228.99 Kbytes Page：9 Pages	IGBT with Monolithic Reverse Conducting Diode ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresrobustand costeffectiveFieldStop(FS2)trenchconstructionwithamonolithic RCDiode.ItprovidesacosteffectiveSolutionforapplicationswhere diodelossesareminimal.TheIGBTisoptimizedforlowconduction losses(lowVCEsat)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB40N65IHRTG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 40A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAM40N65H	文件：241.88 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
FGA40N65SMD	文件：3.23672 Mbytes Page：12 Pages	NewProducts,TipsandToolsforPowerandMobileApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA40N65SMD	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA40N65SMD	文件：373.25 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopIGBT650V,40A GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,onsemi’snewseriesof fieldstop2ndgenerationIGBTsoffertheoptimumperformancefor solarinverter,UPS,welder,inductionheating,telecom,ESSandPFC applicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Featu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH40N65UFD	文件：729.1 Kbytes Page：9 Pages	650V,40AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild®’sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH40N65UFDTU	文件：729.1 Kbytes Page：9 Pages	650V,40AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild®’sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH40N65UFDTU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH40N65UFDTU	文件：478.2 Kbytes Page：10 Pages	IGBT-FieldStop650V,40A Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’sfield stopIGBTsoffertheoptimumperformanceforAutomotiveChargers, Inverter,andotherapplicationswherelowconductionandswitching lossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVolt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NGTB40N65IHRTG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
描述：
IGBT 650V 40A

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