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NGD15N41CLT4分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
NGD15N41CLT4 |
参数属性 | NGD15N41CLT4 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 440V 15A 107W DPAK |
功能描述 | Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts |
文件大小 |
167.57 Kbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-19 22:58:00 |
NGD15N41CLT4规格书详情
NGD15N41CLT4属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。安森美半导体公司制造生产的NGD15N41CLT4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
NGD15N41CLT4
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
卷带(TR)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.2V @ 4V,10A
- 输入类型:
逻辑
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-/4µs
- 测试条件:
300V,6.5A,1 千欧
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
IGBT 440V 15A 107W DPAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
TO252 |
18739 |
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ON |
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TO252 |
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ON/安森美 |
22+ |
TO-252 |
100853 |
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ON(安森美) |
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ON |
23+ |
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ON |
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ON |
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