NGB8206NG 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
NGB8206NG
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
生产厂商：
ON/安森美
库存数量：
6000
产品封装：
D2PAK3LEAD
生产批号：
23+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-6-24 13:14:00

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详细信息
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原厂料号：NGB8206NG品牌：ON/安森美

原装正品，支持实单

NGB8206NG是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ON/安森美/onsemi生产封装D2PAK3LEAD/TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB的NGB8206NG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
NGB8206NG
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
8 页
文件大小：
130.3 kb
资料说明：
Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK

产品属性

类型
描述
产品编号：
NGB8206NG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 4.5V，20A
输入类型：
逻辑
25°C 时 Td（开/关）值：
-/5µs
测试条件：
300V，9A，1 千欧，5V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D²PAK
描述：
IGBT 390V 20A 150W D2PAK

供应商

企业：
易创佳业科技（深圳）有限公司
商铺：
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联系人：
唐先生
手机：
15919869119
询价：
电话：
0755-28018831
地址：
深圳市龙华区民治街道金地梅龙镇2栋3单元8C

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NGB8206NG

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