NGB8206AN分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NGB8206AN |
| 参数属性 | NGB8206AN 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 390V 20A 150W D2PAK3 |
| 功能描述 | Gate?묮mitter ESD Protection |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
257.68 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | littelfuse |
| 企业简称 |
LITTELFUSE【力特】 |
| 中文名称 | 力特公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
| 人工找货 | NGB8206AN价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NGB8206AN规格书详情
描述 Description
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over−Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.
特性 Features
• Ideal for Coil−on−Plug and Driver−on−Coil Applications
• Gate−Emitter ESD Protection
• Temperature Compensated Gate−Collector Voltage Clamp Limits Stress Applied to Load
• Integrated ESD Diode Protection
• Low Threshold Voltage for Interfacing Power Loads to Logic or Microprocessor Devices
• Low Saturation Voltage
• High Pulsed Current Capability
• These are Pb−Free Devices
Applications
• Ignition Systems
产品属性
- 产品编号：
NGB8206ANT4G
- 制造商：
Littelfuse Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 4.5V，20A
- 输入类型：
逻辑
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/5µs
- 测试条件：
300V，9A，1 千欧，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D2PAK
- 描述：
IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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