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NESG340033-T1B	文件：224.8 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor DESCRIPTION TheNESG340033isanidealchoiceforlownoise,lowdistortionamplification. FEATURES •NF=0.65dBTYP.@VCE=3.3V,IC=15mA,f=1GHz •Po(1dB)=21dBmTYP.@VCE=3.3V,IC(set)=40mA,f=1GHz •OIP3=35.5dBmTYP.@VCE=3.3V,IC(set)=50mA,f=1GHz	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NPNSiliconGermaniumRFTransistor

DESCRIPTION TheNESG340033isanidealchoiceforlownoise,lowdistortionamplification. FEATURES •NF=0.65dBTYP.@VCE=3.3V,IC=15mA,f=1GHz •Po(1dB)=21dBmTYP.@VCE=3.3V,IC(set)=40mA,f=1GHz •OIP3=35.5dBmTYP.@VCE=3.3V,IC(set)=50mA,f=1GHz

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