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NP82N03KDF	文件：310.3 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheNP82N03KDFisN-channelMOSFieldEffectTransistors designedforhighcurrentswitchingapplication. FEATURES •Channeltemperature175°Crating •Superlowon-stateresistanceand4.5Vgatedrivetype RDS(on)1=3.5mΩMAX.(VGS=10V,	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheNP82N03KDFisN-channelMOSFieldEffectTransistors designedforhighcurrentswitchingapplication. FEATURES •Channeltemperature175°Crating •Superlowon-stateresistanceand4.5Vgatedrivetype RDS(on)1=3.5mΩMAX.(VGS=10V,

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