NE960R2制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET

NE960R200制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET

NE960R275功能描述:射频GaAs晶体管 X KU Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:

NE960R275_01制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:0.2W X, Ku-BAND POWER GaAs MESFET

NE960R5制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET

NE960R500制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET

NE960R575功能描述:MOSFET X KU Band MESFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NE960R575_01制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:0.5W X, Ku-BAND POWER GaAs FET

NE961R200制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET

NE961R500制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET