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详细参数

  • 型号:

    NE93339-T2

  • 功能描述:

    MOSFET DISC BY CEL 7/01 GEN PURP DUAL GATE

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
PHI
6000
面议
19
DIP/SMD
询价
24+
3000
公司存货
询价
NEC
23+
SOT-23
26690
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
NEC
20+
SOT323
49000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-323
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
NEC
23+
SOT323
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
NEC
21+
SOT323
10000
原装现货假一罚十
询价
NEC
2016+
SOT323
12000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
12000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
NEC
2023+
SOT323
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
询价
更多NE93339-T2供应商 更新时间2025-10-13 10:43:00