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NE856M03-T1-A

文件：182.93 Kbytes

Page：4 Pages

NPN SILICON TRANSISTOR

CEL

California Eastern Laboratories

详细参数

  • 型号：

    NE856M03-T1

  • 功能描述：

    射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 配置：

    Single

  • 晶体管极性：

    NPN

  • 最大工作频率：

    7000 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO：

    15 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO：

    2 V

  • 集电极连续电流：

    0.15 A

  • 功率耗散：

    1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe

  • 最大工作温度：

    + 150 C

  • 封装/箱体：

    SOT-223

  • 封装：

    Reel

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