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NE688分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

NE688

参数属性

NE688 封装/外壳为SOT-523;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3SMINIMOLD

功能描述

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

封装外壳

SOT-523

文件大小

231.06 Kbytes

页面数量

19

生产厂商

NEC

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2026-2-9 19:57:00

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NE688规格书详情

DESCRIPTION

The NE688 series of NPN epitaxial silicon transistors are designed for low cost amplifier and oscillator applications. Low noise figures, high gain and high current capability equate to wide dynamic range and excellent linearity. NE688s low phase noise distortion and high fT make it an excellent choice for oscillator applications up to 5 GHz. The NE688 series is available in six different low cost plastic surface mount package styles, and in chip form.

FEATURES

• LOW PHASE NOISE DISTORTION

• LOW NOISE: 1.5 dB at 2.0 GHz

• LOW VOLTAGE OPERATION

• LARGE ABSOLUTE MAXIMUM COLLECTOR

CURRENT: IC MAX = 100 mA

• AVAILABLE IN SIX LOW COST PLASTIC SURFACE

MOUNT PACKAGE STYLES

• ALSO AVAILABLE IN CHIP FORM

产品属性

  • 产品编号:

    NE68819-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    6V

  • 频率 - 跃迁:

    5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值:

    125mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 3mA,1V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-523

  • 供应商器件封装:

    3 针 SuperMiniMold(19)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3SMINIMOLD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
20+
SOT423
49000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
NEC
2016+
SOT23-3
592
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
NEC
23+
SOT-523
50000
原装正品 支持实单
询价
ZXV
20+
SOT-523
90000
原装现货支持BOM配单服务
询价
CEL
24+
原厂原封
4000
原装正品
询价
NEC(VA)
23+
原厂封装
13528
振宏微原装正品,假一罚百
询价
NEC
22+
SOT143
3000
原装正品,支持实单
询价
NEC
24+
SOT23-3
5000
全新原装正品,现货销售
询价
NEC
24+
Mini3P
7500
询价
NEC
24+
SOT-523
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价