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NE68539-T1-A	文件：354.67 Kbytes Page：18 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
NE68539-T1-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-253-4，TO-253AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143	CEL California Eastern Labs	CEL
NE68539-T1	文件：176.45 Kbytes Page：17 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR DESCRIPTION NECsfamilyofhighfrequency,lowcost,surfacemountdevicesarewellsuitedforportablewirelesscommunicationsandcellularradioapplications. TheNE685seriesofhighfT(12GHz)devicesissuitableforverylowvoltage/lowcurrent,lownoiseapplications.Theseproductsarei	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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NE68539-T1-A

文件：354.67 Kbytes

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SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

CEL

NE68539-T1-A

文件：100 bytes

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Package：TO-253-4，TO-253AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143

CEL

California Eastern Labs

CEL

NE68539-T1

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SURFACEMOUNTNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

DESCRIPTION NECsfamilyofhighfrequency,lowcost,surfacemountdevicesarewellsuitedforportablewirelesscommunicationsandcellularradioapplications. TheNE685seriesofhighfT(12GHz)devicesissuitableforverylowvoltage/lowcurrent,lownoiseapplications.Theseproductsarei

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

产品属性

产品编号：
NE68539-T1-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
6V
频率 - 跃迁：
12GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.5dB @ 2GHz
增益：
11dB
功率 - 最大值：
180mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
75 @ 10mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-253-4，TO-253AA
供应商器件封装：
SOT-143
描述：
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	NE68539-T1-A	CEL	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
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更多NE68539-T1-A供应商更新时间2025-5-23 18:03:00

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