NE678M04-T2-A 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 CEL

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1+	0.01

厂家型号：
NE678M04-T2-A
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
生产厂商：
California Eastern Labs
库存数量：
8600
产品封装：
原厂原包装
生产批号：
2022+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-10-23 15:01:00

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原厂料号：NE678M04-T2-A品牌：California Eastern Labs

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NE678M04-T2-A是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商California Eastern Labs/CEL生产封装原厂原包装/SOT-343F的NE678M04-T2-A晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
NE678M04-T2-A
规格书：
下载下载2
企业简称：
CEL详情
厂商全称：
California Eastern Labs
内容页数：
8 页
文件大小：
207.89 kb
资料说明：
MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

产品属性

类型
描述
产品编号：
NE678M04-T2-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
6V
频率 - 跃迁：
12GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.7dB @ 2GHz
增益：
13.5dB
功率 - 最大值：
205mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
75 @ 30mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-343F
供应商器件封装：
SOT-343F
描述：
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343F

供应商

企业：
深圳市鹏顺微电子科技有限公司
商铺：
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杨先生
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NE678M04-T2-A 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 CEL

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