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NE5814M14-A中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NE5814M14-A
厂商型号

NE5814M14-A

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

291.19 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-26 14:00:00

NE5814M14-A规格书详情

P-CHANNEL LOW NOISE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

FOR IMPEDANCE CONVERTER OF MICROPHONE

4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG)

DESCRIPTION

The NE5814M14 is a P-channel silicon MOS FET designed for use as impedance converter for microphone.

The package is 4-pin lead-less minimold, suitable for surface mount.

FEATURES

• Low Noise : NV = −114 dB TYP. @ VDD = 2.0 V, Cin = 3 pF, RL = 15 kΩ

• Low Input Capacitance : Ciss = 1.5 pF TYP. @ VDD = 2.0 V, Vin = 0 V, RL = 15 kΩ

• Low Consumption Current : IDD = 80 μA TYP. @ VDD = 2.0 V, RL = 15 kΩ

• 4-pin lead-less minimold (1.2 × 0.8 × 0.5 mm)

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