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NE5550279A中文资料Silicon Power LDMOS FET数据手册CEL规格书
NE5550279A规格书详情
简介
NE5550279A属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的NE5550279A晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号:
NE5550279A-T1-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
900MHz
- 增益:
22.5dB
- 额定电流(安培):
600mA
- 功率 - 输出:
33dBm
- 封装/外壳:
4-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装:
79A
- 描述:
FET RF 30V 900MHZ 79A
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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