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NE4210M01-T1中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NE4210M01-T1
厂商型号

NE4210M01-T1

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

193.76 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 16:33:00

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NE4210M01-T1规格书详情

DESCRIPTION

The NE4210M01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its

excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS, TVRO and another commercial systems.

FEATURES

• Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.8 dB TYP., Ga = 11 dB TYP. at f = 12 GHz

• 6pin super minimold package

• Gate Width: Wg = 200mm

产品属性

  • 型号:

    NE4210M01-T1

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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