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NE34018-T2	文件：250.2 Kbytes Page：18 Pages	HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES •Lownoisefigure:NF=0.6dBTYP.@f=2GHz •Highassociatedgain:Ga=16dBTYP.@f=2GHz •Gatewidth:Wg=400mm •4-pinsuperminimoldpackage •Tape&reelpackagingonlyavailable	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE34018-T2	文件：114.81 Kbytes Page：16 Pages	LtoSBANDLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET DESCRIPTION NE34018isan-channelHJ-FEThousedinMOLDpackage. FEATURES •Lownoisefigure NF=0.6dBTYP.atf=2GHz •Highassociatedgain Ga=16dBTYP.atf=2GHz •Gatewidth:Wg=400μm •4pinssuperminimold •Tape&reelpackagingonlyavailable	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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NE34018-T2

文件：250.2 Kbytes

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HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

FEATURES •Lownoisefigure:NF=0.6dBTYP.@f=2GHz •Highassociatedgain:Ga=16dBTYP.@f=2GHz •Gatewidth:Wg=400mm •4-pinsuperminimoldpackage •Tape&reelpackagingonlyavailable

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NE34018-T2

文件：114.81 Kbytes

Page：16 Pages

LtoSBANDLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

DESCRIPTION NE34018isan-channelHJ-FEThousedinMOLDpackage. FEATURES •Lownoisefigure NF=0.6dBTYP.atf=2GHz •Highassociatedgain Ga=16dBTYP.atf=2GHz •Gatewidth:Wg=400μm •4pinssuperminimold •Tape&reelpackagingonlyavailable

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

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