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NE32984D-SL中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NE32984D-SL
厂商型号

NE32984D-SL

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

丝印标识

K

文件大小

207.1 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-30 9:35:00

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NE32984D-SL规格书详情

DESCRIPTION

The NE32984D is a Hetero Junction FET that utilizes the

hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent

low noise and high associated gain make it suitable for DBS

and another commercial systems.

FEATURES

• Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.40 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. at f = 12 GHz

• Gate Length : Lg d 0.20 Pm

• Gate Width : Wg = 200 Pm

产品属性

  • 型号:

    NE32984D-SL

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NECELECTRON
6000
面议
19
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NEC
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