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NE02103	文件：38.7 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI NE02103 is Designed for Oscillator and Amplifier Applications up to 2.0 GHz. FEATURES INCLUDE: • High insertion gain, 18.5 dB at 500 MHz. • High power gain, 1.5 dB at 500 MHz. • Low noise figure, 12 dB at 2 GHz. • For JAN level add sufix D 文件：38.7 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
NE02103	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR	ASI Semiconductor	ASI Semiconductor
HB02103	文件：153.19 Kbytes Page：2 Pages	Breake Away Header .025(0.64mm) Square Posts [FOXCONN] Breake Away Header .025 (0.64mm) Square Posts 文件：153.19 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
HC02103	文件：153.19 Kbytes Page：2 Pages	Breake Away Header .025(0.64mm) Square Posts [FOXCONN] Breake Away Header .025 (0.64mm) Square Posts 文件：153.19 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
HD-02103AST	文件：60.26 Kbytes Page：3 Pages	Stick Coupler 文件：60.26 Kbytes 页数：3 Pages	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE

更多NE02103供应商更新时间2025-12-1 16:06:00