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NDS9959

文件：340.08 Kbytes

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DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology. Features ■2.0A,50V.RDS(ON)=0.3Ω@VGS=10V ■HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurre

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

PE9959

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BREAKOUT,CRIMPONFORRG59,STANDARDALLIGATORCLIPS

PASTERNACK

Pasternack Enterprises, Inc.

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更多NDS9959-NL供应商更新时间2025-7-28 16:22:00

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