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SI9956DY	文件：253.84 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description DualN-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: Si9956DYinSOT96-1(SO8). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching ■TrenchMOS™technology. Applications ■DCtoDCconvertors ■DC	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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SI9956DY

文件：253.84 Kbytes

Page：13 Pages

N-channelenhancementmodefield-effecttransistor

Description DualN-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: Si9956DYinSOT96-1(SO8). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching ■TrenchMOS™technology. Applications ■DCtoDCconvertors ■DC

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

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详细参数

型号：
NDS9956A
功能描述：
MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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