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SI9933BDY	文件：102.87 Kbytes Page：6 Pages	DualP-Channel2.5-V(G-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9933BDY	文件：99.02 Kbytes Page：6 Pages	DualP-Channel2.5-V(G-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9933CDY	文件：213.09 Kbytes Page：9 Pages	DualP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested •Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Loadswitch •DC/DCconverter	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9933CDY	文件：189.47 Kbytes Page：5 Pages	DualP-Channel20-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9933DY	文件：223.89 Kbytes Page：5 Pages	DualP-ChannelEnhancement-ModeMOSFET DualP-ChannelEnhancement-ModeMOSFET	Temic TEMIC Semiconductors	Temic
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TSM9933DCSRL	文件：521.77 Kbytes Page：6 Pages	20VP-ChannelMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM9933DCSRL	文件：375.22 Kbytes Page：6 Pages	20VP-ChannelMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
NDS9933A
功能描述：
MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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