NDH8502P数据手册ONSEMI中文资料规格书
技术参数
- 型号:
NDH8502P
- 功能描述:
MOSFET DISC BY MFG 2/02
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NS |
24+ |
SOP8S |
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NS/国半 |
23+ |
SOP8S |
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FSC |
23+ |
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23+ |
VSOP8 |
50000 |
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TSOP-8-3 |
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FSC |
25+ |
VSOP8 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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FSC |
2025+ |
VSOP8 |
4816 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
FSC |
24+ |
VSOP8 |
5000 |
只做原装公司现货 |
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FAIRCILD |
22+ |
SO-8 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
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