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NCV5183DR2G	文件：344.57 Kbytes Page：15 Pages	High Voltage High Current High and Low Side Driver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCV5183DR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP5183DR2G	文件：344.57 Kbytes Page：15 Pages	HighVoltageHighCurrentHighandLowSideDriver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

产品编号：
NCV5183DR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
系列：
Automotive, AEC-Q100
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
9V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：
1.2V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
4.3A，4.3A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
12ns，12ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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