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NCP81075DR2G	文件：124.79 Kbytes Page：13 Pages	High Performance Dual MOSFET Gate Driver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCP81075DR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NCP81075DR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
高压侧或低压侧
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
8.5V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
4A，4A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
8ns，7ns
工作温度：
-40°C ~ 140°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

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