订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>NCP5901BDR2G>芯片详情
NCP5901BDR2G 集成电路(IC)栅极驱动器 ONSEMI/安森美半导体
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号:NCP5901BDR2G品牌:onsemi
NCP5901BDR2G是集成电路(IC) > 栅极驱动器。制造商onsemi生产封装原厂封装/8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)的NCP5901BDR2G栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
产品属性
更多- 类型
描述
- 产品编号:
NCP5901BDR2G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
管件
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
同步
- 栅极类型:
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 13.2V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
1V,2V
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
16ns,11ns
- 工作温度:
0°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
相近型号
- NCP585DSN25T1G
- NCP590MNDSR2G
- NCP585DSN12T1G
- NCP590MNOAR2G
- NCP584LSN18T1G
- NCP590MNPPR2G
- NCP584HSN33T1G
- NCP5911MNTBG
- NCP584HSN31T1G
- NCP59151DS18R4G
- NCP584HSN30T1G
- NCP59151DS25R4G
- NCP584HSN25T1G
- NCP59151DS28R4G
- NCP584HSN18T1G
- NCP59151DS30R4G
- NCP584HSN15T1G
- NCP59151DS33R4G
- NCP584HSN12T1G
- NCP59151DS50R4G
- NCP584HSN09T1G
- NCP59151MN18TYG
- NCP583XV33T2G
- NCP59151MN25TYG
- NCP583XV30T2G
- NCP59151MN28TYG
- NCP583XV28T2G
- NCP59151MN30TYG
- NCP583XV15T2G
- NCP59151MN33TYG
- NCP583XV15T1G
- NCP59151MN50TYG
- NCP583SQ33T1G
- NCP59152DSADJR4G
- NCP583SQ30T1G
- NCP59152MNADJTYG
- NCP583SQ28T1G
- NCP59301DS18R4G
- NCP583SQ15T1G
- NCP59301DS25R4G
- NCP58302DSADJR4G
- NCP59301DS28R4G
- NCP582LSQ28T1G
- NCP59301DS30R4G
- NCP582DXV18T1G
- NCP59301DS33R4G
- NCP5810DMUTXG
- NCP59301DS50R4G
- NCP580SQ28T1G
- NCP59302DSADJR4G