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NCP5359AMNR2G集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

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厂商型号

NCP5359AMNR2G

参数属性

NCP5359AMNR2G 封装/外壳为8-VFDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN

功能描述

Gate Driver for Notebook Power Systems
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN

封装外壳

8-VFDFN 裸露焊盘

文件大小

151.09 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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更新时间

2025-10-6 23:00:00

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NCP5359AMNR2G规格书详情

NCP5359AMNR2G属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由安森美半导体制造生产的NCP5359AMNR2G栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NCP5359AMNR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 13.2V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1V,2V

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    16ns,15ns

  • 工作温度:

    0°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-VFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-DFN(2x2)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN

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