NCP5109BDR2G_集成电路(IC) 栅极驱动器-安森美半导体

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  • 厂家型号:

    NCP5109BDR2G

  • 制造商:

    ONSEMI/安森美半导体

  • 库存数量:

    0

  • 类别:

    集成电路(IC) 栅极驱动器

  • 封装外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 更新时间:

    2024-5-17 23:14:00

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原厂料号:NCP5109BDR2G品牌:onsemi

资料说明:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

NCP5109BDR2G是集成电路(IC) > 栅极驱动器。制造商ONSEMI/安森美半导体生产封装8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)的NCP5109BDR2G栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

  • 芯片型号:

    ncp5109bdr2g

  • 规格书:

    原厂下载 下载

  • 企业简称:

    ONSEMI【安森美半导体】详情

  • 厂商全称:

    ON Semiconductor

  • 中文名称:

    安森美半导体公司

  • 资料说明:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    NCP5109BDR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.3V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    250mA,500mA

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    85ns,35ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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