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NCE60P12K数据手册NCEPower中文资料规格书

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厂商型号

NCE60P12K

功能描述

12-150V P-Channel Trench MOSFET

制造商

NCEPower Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

中文名称

无锡新洁能股份 无锡新洁能股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:10:00

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NCE60P12K规格书详情

描述 Description


The NCE60P12K uses advanced trench technology and design to provide excellent R DS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :NCE60P12K

  • 生产厂家

    :NCEPower

  • Product status

    :Production

  • Package

    :TO-252

  • Polarity

    :P

  • BVDSS(V)

    :-60

  • ID(A)

    :-12

  • VTH(V)

    :-1.5

  • RDS(ON)@10VTyp(mΩ)

    :84

  • RDS(ON)@10VMax(mΩ)

    :100

  • RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)

    :100

  • RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)

    :125

  • VGS(th)(V)

    :±20

  • CISS(pF)

    :1630.7

  • QG(nC)

    :38

  • PD(W)

    :60

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