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NCE20PK0402J数据手册NCEPower中文资料规格书

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厂商型号

NCE20PK0402J

功能描述

N+P沟道MOSFET

制造商

NCEPower Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

中文名称

无锡新洁能股份 无锡新洁能股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 20:00:00

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NCE20PK0402J规格书详情

描述 Description


The NCE20PK0402J uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications.

特性 Features

MOSFET
• VDS = -20V,ID = -4A
RDS(ON) < 80m? @ VGS =-4.5V
RDS(ON) < 100m? @ VGS =-2.5V
RDS(ON) < 160m? @ VGS =-1.8V
Schottky Diode
• V KA (V) = 20V, I F = 2A, V F <0.45V@0.5A

应用 Application

•  Bidirectional blocking switch
•  DC-DC conversion applications

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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