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NCE1205数据手册NCEPower中文资料规格书

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厂商型号

NCE1205

功能描述

Complementary MOSFET

制造商

NCEPower Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

中文名称

无锡新洁能股份 无锡新洁能股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 15:14:00

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NCE1205规格书详情

描述 Description

The NCE1205 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :NCE1205

  • 生产厂家

    :NCEPower

  • Product status

    :Production

  • Package

    :DFN2*2

  • Polarity

    :N+P

  • BVDSS(V)

    :-12/12

  • ID(A)

    :-5/5

  • VTH(V)

    :-0.7/0.7

  • RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)

    :50/24

  • RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)

    :61/29

  • RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)

    :66/28

  • RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)

    :81/34

  • VGS(th)(V)

    :±12

  • CISS(pF)

    :520/495

  • QG(nC)

    :9.2/6.6

  • PD(W)

    :1.9

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