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NCE0202M中文资料无锡新洁能股份数据手册PDF规格书

NCE0202M
厂商型号

NCE0202M

功能描述

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

0202M

封装外壳

SOT-89-3L

文件大小

288.78 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企业简称

NCEPOWER无锡新洁能股份

中文名称

无锡新洁能股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 13:02:00

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NCE0202M规格书详情

Description

The NCE0202M uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications.

General Features

● VDS = 200V,ID =2A

RDS(ON) < 580mΩ @ VGS=10V (Typ:520mΩ)

RDS(ON) < 600mΩ @ VGS=10V (Typ:540mΩ)

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Excellent package for good heat dissipation

Application

● Power switching application

● Hard switched and high frequency circuits

● Uninterruptible power supply

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