NCE0108AS中文资料12-200V N-Channel Trench MOSFET数据手册NCEPower规格书
NCE0108AS规格书详情
描述 Description
The NCE0108AS uses advanced trench technology and design to provide excellent R DS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
特性 Features
• V DS = 100V,I D =8A
R DS(ON) < 28m? @ V GS =10V (Typ:22m?)
• Special process technology for high ESD capability
• High density cell design for ultra low Rdson
• Fully characterized avalanche voltage and current
应用 Application
• DC/DC Primary Side Switch
• Telecom/Server
• Synchronous Rectification
技术参数
- 制造商编号
：NCE0108AS
- 生产厂家
：NCEPower
- Product status
：Production
- Package
：SOP-8
- Polarity
：P
- BVDSS(V)
：100
- ID(A)
：8
- VTH(V)
：1.8
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ)
：28
- RDS(ON)@10VMax(mΩ)
：32
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
：33
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
：40
- VGS(th)(V)
：±20
- CISS(pF)
：2000
- QG(nC)
：42
- PD(W)
：2.6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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