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NCD5703BDR2G	文件：451.16 Kbytes Page：20 Pages	High Current IGBT Gate Drivers 文件：451.16 Kbytes 页数：20 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD5703BDR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV5703BDR2G	文件：672.83 Kbytes Page：20 Pages	High Current IGBT Gate Drivers 文件：672.83 Kbytes 页数：20 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57090ADWR2G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	ON 上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	ON
NCE0102	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	NCE/新洁能上传：深圳市浩翊科技有限公司	NCE/新洁能

产品属性

产品编号：
NCD5703BDR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT
电压 - 供电：
20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.75V，4.3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
7.8A，6.8A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
9.2ns，7.9ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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