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NCD225E75F8M1中文资料Automotive Grade 750V 225A Extremefast Gen2 Diode Die with Sinterable Top Metal数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NCD225E75F8M1

参数属性

NCD225E75F8M1 封装/外壳为模具;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:IGBT 750V 225A FS4 DIE

功能描述

Automotive Grade 750V 225A Extremefast Gen2 Diode Die with Sinterable Top Metal
IGBT 750V 225A FS4 DIE

封装外壳

模具

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-21 22:59:00

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NCD225E75F8M1规格书详情

描述 Description

750V 225A Extremefast Gen2 Diode Die 10mm * 5mm with Sinterable Top Metal. Automotive qualified per AEC-Q101.

特性 Features

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• Reliable and Rugged
• Extremefast Technology Generation 2 with Improved Soft Recovery
• Soft reverse recovery
• Maximum Junction Temperature 175°C
• Low Forward Voltage: VF = 1.75 V (Typ.) @ IF = 225 A
• Anode Pad Covered with Sinterable Metal Layer

应用 Application

• Automotive Traction Modules
• General Power Modules
• Electric Vehicle
• EV
• Hybrid EV
• HEV
• Automotive

简介

NCD225E75F8M1属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的NCD225E75F8M1二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NCD225E75F8M1

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    225A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    触片

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 175°C

  • 描述:

    IGBT 750V 225A FS4 DIE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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