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NBSG86ABA

2.5V/3.3V SiGe Differential Smart Gate with Output Level Select

文件:113.71 Kbytes 页数:14 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NBSG86ABA

2.5V/3.3V SiGe Differential Smart Gate with Output Level Select

文件:143.58 Kbytes 页数:14 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NBSG86ABAEVB

Evaluation Board Manual

文件:109.37 Kbytes 页数:20 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NBSG86ABAEVB

2.5V/3.3V SiGe Differential Smart Gate with Output Level Select

文件:143.58 Kbytes 页数:14 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NBSG86ABAR2

2.5V/3.3V SiGe Differential Smart Gate with Output Level Select

文件:113.71 Kbytes 页数:14 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NBSG86ABAR2

2.5V/3.3V SiGe Differential Smart Gate with Output Level Select

文件:143.58 Kbytes 页数:14 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NBSG86ABAEVB

包装:盒 类别:开发板,套件,编程器 评估和演示板及套件 描述:BOARD EVAL BBG NBSG86ABA

ONSEMI

安森美半导体

NBSG86ABAHTBG

Package:16-LBGA,FCBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 门和反相器 - 多功能,可配置 描述:IC CLOCK/DATA DIFF DIV/2 16FCBGA

ONSEMI

安森美半导体

NBSG86ABAR2

Package:16-LBGA,FCBGA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 门和反相器 - 多功能,可配置 描述:IC SMART GATE SIGE DIFF 16FCBGA

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NBSG86ABA

  • 功能描述:

    逻辑门 2.5V/3.3V SiGe Diff

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 产品:

    OR

  • 逻辑系列:

    LVC

  • 栅极数量:

    2

  • 线路数量(输入/输出):

    2/1

  • 高电平输出电流:

    - 16 mA

  • 低电平输出电流:

    16 mA

  • 传播延迟时间:

    3.8 ns

  • 电源电压-最大:

    5.5 V

  • 电源电压-最小:

    1.65 V

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    DCU-8

  • 封装:

    Reel

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更多NBSG86ABA供应商 更新时间2026-4-15 8:31:00