NB685数据手册MPS中文资料规格书

描述 Description

NB685 可 为 DDR3 、 DDR3L 、 LPDDR3 和 DDR4 存储器应用提供整套高密度电源解决方 案。它集成了一个高频同步整流降压开关变换器 （VDDQ），具有 1A 的灌/拉电流 LDO（VTT） 以及缓冲低噪声参考输出（VTTREF）。

NB685 基于 MPS 独有的开关损耗降低技术和低 导通阻抗功率 MOSFET，能在宽输出电流负载 范围内高效工作。 自适应恒定导通时间控制模式（COT）提供了快 速瞬态响应，并使环路更易稳定。DC 自动调节 环路提供了较好的负载和线性调整率。 VTT LDO 提供了 1A 的灌/拉电流能力，输出电 容仅需 22μF 的陶瓷电容即可。VTTREF 追踪 VDDQ/2 的值，精度为 1%。 全方位的保护功能包括过流限保护、过压保护、 欠 压 保 护 、 过 温 关 断 保 护 和 过 温 警 报 功 能 （OTW）。

该变换器采用 QFN 3mm x 3mm 封装，最大限 度地减少了外部元器件的使用数量。

特性 Features

• 4.5V 至 26V 宽输入工作电压范围
• 兼容 IMVP8
• 135μA 低静态电流
• 12 A 连续输出电流
• 13 A 峰值输出电流
• 可选的超音频模式
• 500K/750k 可选开关频率
• 内置 +/- 1A VTTLDO
• 1% 的低噪声 VTTREF 输出
• 用于快速瞬态响应的自适应 COT
• DC 自动调节环路
• 采用 POSCAP 和陶瓷输出电容器可稳定工作 
• 过温警报功能（OTW）
• 内部软启动
• 输出放电功能
• OCL, OVP, UVP 和过温关断保护
• 通过 EN 或电源重启锁定复位
• 采用 QFN 3mm x 3mm 封装。