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NB3N200SDG	文件：289.43 Kbytes Page：18 Pages	3.3 V Differential Multipoint Low Voltage M-LVDS Driver Receiver 文件：289.43 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NB3N200SDG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）时钟缓冲器，驱动器描述：IC CLK BUFFER 1:1 200MHZ 8SOIC	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NBA3N200S	文件：288.25 Kbytes Page：19 Pages	3.3 V Automotive Grade M-LVDS Driver Receiver 文件：288.25 Kbytes 页数：19 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NBA3N200SDG	文件：288.25 Kbytes Page：19 Pages	3.3 V Automotive Grade M-LVDS Driver Receiver 文件：288.25 Kbytes 页数：19 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
T3N200TW	文件：3.14276 Mbytes Page：81 Pages	Tmax Molded Case Circuit Breakers 文件：3.14276 Mbytes 页数：81 Pages	ABB ABB集团	ABB

产品属性

产品编号：
NB3N200SDG
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 时钟缓冲器，驱动器
包装：
卷带（TR）
类型：
缓冲器/驱动器
电路数：
1
比率 - 输入：
1：1
差分 - 输入：
是/是
输入：
LVCMOS，LVDS
输出：
LVCMOS，LVDS
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC CLK BUFFER 1

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