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NB3N200SDG	文件：289.43 Kbytes Page：18 Pages	3.3 V Differential Multipoint Low Voltage M-LVDS Driver Receiver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NB3N200SDG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）时钟缓冲器，驱动器描述：IC CLK BUFFER 1:1 200MHZ 8SOIC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
3N200	文件：383.22 Kbytes Page：6 Pages	SILICONDUALINSULATED-GATEFIELD-EFFECTTRANSISTOR SiliconDualInsulated-GateField-EffectTransistor WithIntegratedGate-ProtectionCircuits ForMilitaryandIndustrialApplicationsupto500MHz Applications ●RFamplifier,mixer,andIFamplifierinmilitaryandindustrialcommunicationsequipment ●Aircraftandmarinevehicularreceiver	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
3N200	文件：88.74 Kbytes Page：1 Pages	DUAL-GATEMOSFET DUAL-GATEMOSFET N-CHANNEL-DEPLETION	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
DAM3N200D	文件：241.52 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO
DAM3N200L	文件：255.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO
NB3N200S	文件：475.45 Kbytes Page：18 Pages	3.3VDifferentialMultipointLowVoltageM-LVDSDriverReceiver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NB3N200S	文件：289.43 Kbytes Page：18 Pages	3.3VDifferentialMultipointLowVoltageM-LVDSDriverReceiver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NBA3N200S	文件：288.25 Kbytes Page：19 Pages	3.3VAutomotiveGradeM-LVDSDriverReceiver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NBA3N200SDG	文件：288.25 Kbytes Page：19 Pages	3.3VAutomotiveGradeM-LVDSDriverReceiver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

产品编号：
NB3N200SDG
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 时钟缓冲器，驱动器
包装：
卷带（TR）
类型：
缓冲器/驱动器
电路数：
1
比率 - 输入：
1：1
差分 - 输入：
是/是
输入：
LVCMOS，LVDS
输出：
LVCMOS，LVDS
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC CLK BUFFER 1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NB3N200SDG供应商更新时间2024-4-28 11:20:00

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