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IRF6616PBF	文件：282.09 Kbytes Page：10 Pages	RoHScompliantcontainingnoleadorbormide Description TheIRF6616combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievelowcombinedon-stateandswitchinglossinapackagethathasthefootprintareaofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexis	IRF International Rectifier	IRF
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IRF6616TRPBF	文件：2.62043 Mbytes Page：6 Pages	BenchmarkMOSFETsProductSelectionGuide	IRF International Rectifier	IRF
MAX6616AEG	文件：191.11 Kbytes Page：20 Pages	Dual-ChannelTemperatureMonitorsandFan-SpeedControllerswithThermistorInputs	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MCH6616	文件：28.81 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications N-ChannelSiliconMOSFET Features •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswitching. •2.5Vdrive. •Compositetypewith2MOSFETscontainedinasingle package,facilitatinghigh-densitymounting.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
STR-F6616	文件：191.18 Kbytes Page：4 Pages	SMPSPRIMARYIC	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
STR-F6616	文件：191.18 Kbytes Page：4 Pages	SMPSPRIMARYIC TheSeriesSTR-F6600isspecificallydesignedtosatisfytherequirementsforincreasedintegrationandreliabilityinoff-linequasi-resonantflybackconverters.Theseriesincorporatesaprimarycontrolanddrivecircuitwithdiscreteavalanche-ratedpowerMOSFETs. Coveringthepowerrangefrom	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken

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