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NAND512W3A2DZA6E 集成电路(IC)存储器 ST/意法半导体

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1+
  • 厂家型号:

    NAND512W3A2DZA6E

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    ST/意法半导体

  • 库存数量:

    20000

  • 产品封装:

    BGA

  • 生产批号:

    23+

  • 库存类型:

    优势库存

  • 更新时间:

    2024-4-27 14:04:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:NAND512W3A2DZA6E品牌:ST

全新原装热卖/假一罚十!更多数量可订货

NAND512W3A2DZA6E是集成电路(IC) > 存储器。制造商ST/Micron Technology Inc.生产封装BGA/63-TFBGA的NAND512W3A2DZA6E存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。

  • 芯片型号:

    NAND512W3A2DZA6E

  • 规格书:

    下载

  • 企业简称:

    ST【意法半导体】详情

  • 厂商全称:

    STMicroelectronics

  • 中文名称:

    意法半导体集团

  • 资料说明:

    IC FLASH 512MBIT 63VFBGA

产品参考属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    NAND512W3A2DZA6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    闪存 - NAND

  • 存储容量:

    512Mb(64M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    50ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    63-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    63-VFBGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

供应商

  • 企业:

    深圳市博浩通科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    王先生/罗小姐

  • 手机:

    13798567707

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