NAND512R3A2CZA6E 集成电路（IC）存储器 MRON/美光

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1+	面议

厂家型号：
NAND512R3A2CZA6E
产品分类：
集成电路（IC） > 存储器
生产厂商：
MRON/美光
库存数量：
59
产品封装：
NA/
生产批号：
24+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-11-29 23:00:00

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原厂料号：NAND512R3A2CZA6E品牌：MRON/美光

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NAND512R3A2CZA6E是集成电路（IC） > 存储器。制造商MRON/美光/Micron Technology Inc.生产封装NA//63-TFBGA的NAND512R3A2CZA6E存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。

芯片型号：
NAND512R3A2CZA6E
规格书：
下载下载2
企业简称：
STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情
厂商全称：
STMicroelectronics
中文名称：
意法半导体集团
内容页数：
51 页
文件大小：
674.58 kb
资料说明：
512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

产品属性

类型
描述
产品编号：
NAND512R3A2CZA6E
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存 - NAND
存储容量：
512Mb（64M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
50ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
63-TFBGA
供应商器件封装：
63-VFBGA（9x11）
描述：
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

供应商

企业：
深圳市得捷芯城科技有限公司
商铺：
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联系人：
肖先生
手机：
19076157484
询价：
电话：
0755-82538261
传真：
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NAND512R3A2CZA6E

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