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NAND256W3A0BN6E	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND256W3A0BN6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA
NAND256W3A0BN6	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128Mbit,256Mbit,512Mbit,1Gbit(x8/x16)528Byte/264WordPage,1.8V/3V,NANDFlashMemories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND256W3A0BN6F	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128Mbit,256Mbit,512Mbit,1Gbit(x8/x16)528Byte/264WordPage,1.8V/3V,NANDFlashMemories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND256W3A0BN6T	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128Mbit,256Mbit,512Mbit,1Gbit(x8/x16)528Byte/264WordPage,1.8V/3V,NANDFlashMemories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
NAND256W3A0BN6E
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存 - NAND
存储容量：
256Mb（32M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
50ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSOP I
描述：
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP

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更多NAND256W3A0BN6E供应商更新时间2025-7-16 16:30:00

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