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NAND128W3A0AN6E	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARY DESCRIPTION The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supp 文件：916.59 Kbytes 页数：57 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND128W3A0AN6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND128W3A0AN6F	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARY DESCRIPTION The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supp 文件：916.59 Kbytes 页数：57 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND128W3A0AN6T	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARY DESCRIPTION The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supp 文件：916.59 Kbytes 页数：57 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
NAND128W3A0AN6E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存 - NAND
存储容量：
128Mb（16M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
50ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSOP
描述：
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP

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