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NAND08GW3B2CN6E	文件：1.70593 Mbytes Page：69 Pages	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories 文件：1.70593 Mbytes 页数：69 Pages	NUMONYX	NUMONYX
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NAND512W3A2SZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	MICRON BGA	Micron 美光上传：深圳市拓亿芯电子有限公司	Micron
NANO100KD2BN	文件：0 bytes Page：0 Pages	NUVOTON新唐 LQFP128	NUVOTON新唐上传：深圳市常芯电子科技有限公司	NUVOTON新唐

详细参数

型号：
NAND08GW3B2CN6
功能描述：
闪存 NAND & S.MEDIA FLASH
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
数据总线宽度：
1 bit
存储类型：
Flash
存储容量：
2 MB
结构：
256 K x 8
接口类型：
SPI
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.3 V
最大工作电流：
15 mA
工作温度：
- 40 C to + 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装：
Reel

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