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NAND08GW3B2AN6F中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

NAND08GW3B2AN6F
厂商型号

NAND08GW3B2AN6F

功能描述

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories

文件大小

501.64 Kbytes

页面数量

58

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 22:59:00

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产品属性

  • 型号:

    NAND08GW3B2AN6F

  • 功能描述:

    闪存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 数据总线宽度:

    1 bit

  • 存储类型:

    Flash

  • 存储容量:

    2 MB

  • 结构:

    256 K x 8

  • 接口类型:

    SPI

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2.3 V

  • 最大工作电流:

    15 mA

  • 工作温度:

    - 40 C to + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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