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NAND08G-B	文件：383.4 Kbytes Page：59 Pages	512 Mbit, 1 Gbit, 2 Gbit, 4 Gbit, 8 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory FEATURES SUMMARY ■ HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES – Up to 8 Gbit memory array – Up to 64Mbit spare area – Cost effective solutions for mass storage applications ■ NAND INTERFACE – x8 or x16 bus width – Multiplexed Address/ Data – Pinout compatibility for all densities ■ SUPPLY VOLTAG 文件：383.4 Kbytes 页数：59 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND08GR3B	文件：383.4 Kbytes Page：59 Pages	512 Mbit, 1 Gbit, 2 Gbit, 4 Gbit, 8 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory FEATURES SUMMARY ■ HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES – Up to 8 Gbit memory array – Up to 64Mbit spare area – Cost effective solutions for mass storage applications ■ NAND INTERFACE – x8 or x16 bus width – Multiplexed Address/ Data – Pinout compatibility for all densities ■ SUPPLY VOLTAG 文件：383.4 Kbytes 页数：59 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND08GR4B	文件：383.4 Kbytes Page：59 Pages	512 Mbit, 1 Gbit, 2 Gbit, 4 Gbit, 8 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory FEATURES SUMMARY ■ HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES – Up to 8 Gbit memory array – Up to 64Mbit spare area – Cost effective solutions for mass storage applications ■ NAND INTERFACE – x8 or x16 bus width – Multiplexed Address/ Data – Pinout compatibility for all densities ■ SUPPLY VOLTAG 文件：383.4 Kbytes 页数：59 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND08GW3B	文件：383.4 Kbytes Page：59 Pages	512 Mbit, 1 Gbit, 2 Gbit, 4 Gbit, 8 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory FEATURES SUMMARY ■ HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES – Up to 8 Gbit memory array – Up to 64Mbit spare area – Cost effective solutions for mass storage applications ■ NAND INTERFACE – x8 or x16 bus width – Multiplexed Address/ Data – Pinout compatibility for all densities ■ SUPPLY VOLTAG 文件：383.4 Kbytes 页数：59 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND08GW4B	文件：383.4 Kbytes Page：59 Pages	512 Mbit, 1 Gbit, 2 Gbit, 4 Gbit, 8 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory FEATURES SUMMARY ■ HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES – Up to 8 Gbit memory array – Up to 64Mbit spare area – Cost effective solutions for mass storage applications ■ NAND INTERFACE – x8 or x16 bus width – Multiplexed Address/ Data – Pinout compatibility for all densities ■ SUPPLY VOLTAG 文件：383.4 Kbytes 页数：59 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND08GAH0A	文件：2.2466 Mbytes Page：116 Pages	1 Gbyte, 2 Gbyte, 1.8 V/3 V supply, NAND Flash memories with MultiMediaCard??interface 文件：2.2466 Mbytes 页数：116 Pages	NUMONYX	NUMONYX
NAND08GAH0AZA5E	文件：2.2466 Mbytes Page：116 Pages	1 Gbyte, 2 Gbyte, 1.8 V/3 V supply, NAND Flash memories with MultiMediaCard??interface 文件：2.2466 Mbytes 页数：116 Pages	NUMONYX	NUMONYX
NAND08GAH0AZA5F	文件：2.2466 Mbytes Page：116 Pages	1 Gbyte, 2 Gbyte, 1.8 V/3 V supply, NAND Flash memories with MultiMediaCard??interface 文件：2.2466 Mbytes 页数：116 Pages	NUMONYX	NUMONYX
NAND08GAH0DZA5E	文件：2.2466 Mbytes Page：116 Pages	1 Gbyte, 2 Gbyte, 1.8 V/3 V supply, NAND Flash memories with MultiMediaCard??interface 文件：2.2466 Mbytes 页数：116 Pages	NUMONYX	NUMONYX
NAND08GAH0DZA5F	文件：2.2466 Mbytes Page：116 Pages	1 Gbyte, 2 Gbyte, 1.8 V/3 V supply, NAND Flash memories with MultiMediaCard??interface 文件：2.2466 Mbytes 页数：116 Pages	NUMONYX	NUMONYX

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