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NAND02GW3B2CN6E

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

NAND02GW3B2CN6E

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

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恒忆

NAND02GW3B2CN6

1Gbit,2Gbit,2112Byte/1056WordPage,1.8V/3V,NANDFlashMemory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

NAND02GW3B2CN6F

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NUMONYXNUMONYX

恒忆

NAND02GW3B2CN6F

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意法半导体意法半导体(ST)集团

详细参数

  • 型号:

    NAND02GW3B2CN6E

  • 功能描述:

    闪存 POWER R.F.

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 数据总线宽度:

    1 bit

  • 存储类型:

    Flash

  • 存储容量:

    2 MB

  • 结构:

    256 K x 8

  • 接口类型:

    SPI

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2.3 V

  • 最大工作电流:

    15 mA

  • 工作温度:

    - 40 C to + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
STMICROELECTRONICS
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更多NAND02GW3B2CN6E供应商 更新时间2024-5-15 10:01:00