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NAND02GR3B2DZA6E集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

NAND02GR3B2DZA6E

参数属性

NAND02GR3B2DZA6E 封装/外壳为63-TFBGA;包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA

功能描述

2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories

封装外壳

63-TFBGA

文件大小

1.81088 Mbytes

页面数量

69

生产厂商

NUMONYX

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-1 23:00:00

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产品属性

  • 产品编号:

    NAND02GR3B2DZA6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    闪存 - NAND

  • 存储容量:

    2Gb(256M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    45ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    63-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    63-VFBGA(9.5x12)

  • 描述:

    IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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