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NAND02GR3B2DZA6 集成电路(IC)存储器 ST/意法半导体
- 详细信息
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产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
NAND02GR3B2DZA6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
- 包装:
管件
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
闪存 - NAND
- 存储容量:
2Gb(256M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
45ns
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
63-TFBGA
- 供应商器件封装:
63-VFBGA(9.5x12)
- 描述:
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
供应商
- 企业:
深圳市瑞浩芯科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
付小姐
- 手机:
17503034873
- 询价:
- 电话:
0755-84877094
- 地址:
深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7楼 707
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