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NAND02GR3B2C

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

文件:711.53 Kbytes 页数:62 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

NAND02GR3B2CN1

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

文件:631.49 Kbytes 页数:64 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

NAND02GR3B2CN1E

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

文件:1.34162 Mbytes 页数:60 Pages

NUMONYX

NAND02GR3B2CN1E

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

文件:711.53 Kbytes 页数:62 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

NAND02GR3B2CN1F

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

文件:1.34162 Mbytes 页数:60 Pages

NUMONYX

NAND02GR3B2CN1F

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

文件:711.53 Kbytes 页数:62 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

NAND02GR3B2CN6

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

文件:631.49 Kbytes 页数:64 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

NAND02GR3B2CN6E

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

文件:1.34162 Mbytes 页数:60 Pages

NUMONYX

NAND02GR3B2CN6E

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

文件:711.53 Kbytes 页数:62 Pages

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意法半导体

NAND02GR3B2CN6F

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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意法半导体

详细参数

  • 型号:

    NAND02GR3B2C

  • 制造商:

    Micron Technology Inc

  • 功能描述:

    NRND

  • 功能描述:

    NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NAND02GR3B2C供应商 更新时间2025-11-20 13:58:00