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NAND01GW3B2CZA5F	文件：1.6385 Mbytes Page：67 Pages	1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16 文件：1.6385 Mbytes 页数：67 Pages	NUMONYX	NUMONYX
NAND01GW3B2CZA5E	文件：1.6385 Mbytes Page：67 Pages	1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16 文件：1.6385 Mbytes 页数：67 Pages	NUMONYX	NUMONYX
NAND256W3A2BN6E	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TSOP	ST 上传：深圳市振宏微科技有限公司	ST
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更多NAND01GW3B2CZA5F供应商更新时间2025-10-4 15:14:00